Ferroelectric Random Access Memories Fundamentals and...

Ferroelectric Random Access Memories Fundamentals and Applications Topics in Applied Physics

Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Yoshihiro Arimoto
Πόσο σας άρεσε αυτό το βιβλίο;
Ποια είναι η ποιότητα του ληφθέντος αρχείου;
Κατεβάστε το βιβλίο για να αξιολογήσετε την ποιότητά του
Ποια είναι η ποιότητα των ληφθέντων αρχείων;

In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which include ferroelectric materials, thin film formation, device physics, circuit design, and so on.This book covers from fundamentals to applications of ferroelectric random access memories (FeRAMs). The book consists of 5 parts; (1) ferroelectric thin films, (2) deposition and characterization methods, (3) fabrication process and circuit design, (4) advanced-type memories, and (5) applications and future prospects, and each part is further devided in several chapters. Because of the wide range of the discussed topics, each chapter in this book was written by one of the best authors knowing the specific topic very well. Thus, this is a good introduction book of FeRAM for graduate students and new comers to this field, as well as it helps specialists to understand FeRAMs more deeply.

Κατηγορίες:
Έτος:
2004
Έκδοση:
1
Εκδότης:
Springer
Γλώσσα:
english
Σελίδες:
298
ISBN 10:
3540407189
ISBN 13:
9783540407188
Σειρές:
Topics in Applied Physics
Αρχείο:
PDF, 8.12 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
english, 2004
Διαβάστε online
Η μετατροπή σε βρίσκεται σε εξέλιξη
Η μετατροπή σε απέτυχε

Φράσεις κλειδιά